El martes, Intel y Micron Technology anunciaron el desarrollo de un proyecto conjunto de ambas empresas para el desarrollo de un chip de alta velocidad para unidades flash USB así como tarjetas de memoria.Y relacionados con un anuncio, Intel dijo el lunes que se ha validado una solución para su nuevo “34-nanómetro X25-M”, una unidad de estado sólido, que se basa en la tecnología de memoria flash.

Los dos chipmakers, que asociados en la fabricación de chips de memoria flash, dijeron el martes que han desarrollado una capacidad de memoria flash NAND de 3 bits por celda sobre la base de la tecnología de 34-nanómetros. Esto permite una mayor densidad de datos que el estándar de 2 bits por celda y la tecnología se traducirá en alta capacidad unidades flash USB, de acuerdo con Micrones.

Mientras más bits de embalaje en una celda, se proporciona una mayor densidad de datos, aunque no es tan fiable como la memoria flash basada en tecnología estándar, según Kevin Kilbuck, director de marketing en NAND de Micron. Por lo tanto, los 3-bits por celda de los chips se limitará inicialmente a las unidades  flash, que no requieren el almacenamiento de datos de fiabilidad como una unidad unidad de HD, que se utiliza como el principal dispositivo de almacenamiento en ordenadores portátiles y servidores.

Sin embargo, SanDisk y Toshiba afirmaron en febrero una noticia de divulgación diciendo que se ha desarrollado un chip de 4 bit, que las dos empresas dicen “de la más alta capacidad de memoria flash de la tecnología y en la industria”.

Fuente: Cnet.com